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Durch die Wärmespreizung, d. h. die Wärmeleitung parallel zu den Lagen, wird der Hotspot eines Bauteils vergrößert und damit auch die Fläche zur Umgebung. Je größer diese Spreizfläche ist, desto niedriger wird die Temperatur sein. Es gibt Näherungsformeln für den effektiven Wärmewiderstand einer Wärmequelle durch Wärmespreizung, allerdings nur für homogen aufgebaute Platten mit einer festen Temperatur (z. B. eine bekannte Kühlkörpertemperatur) auf der Unterseite.— (Johannes Adam, « Optimieren der Thermodynamik einer Leiterplatte : Teil 2: Wärmespreizung in der Leiterplatte », dans PLUS Produktion von Leiterplatten und Systemen, no 5, 2014, page 961-962 )
Grâce à la répartition thermique, c’est-à-dire la conduction thermique parallèlement aux couches, le point chaud d’un composant est étalé sur une plus grande surface, ce qui augmente aussi la surface vers l'environnement. Plus cette surface d’étalement est grande, plus la température sera basse. Il existe des formules approximatives pour la résistance thermique effective d’une source de chaleur par répartition thermique, mais uniquement pour des plaques homogènes avec une température fixe sur la surface inférieure (par ex. une température connue du dissipateur thermique).
Die meisten Bauteile haben ohne Leiterplatte keine thermischen Überlebenschancen weil sie nicht die für die notwendige Wärmeabfuhr erforderliche Oberfläche haben. Durch Wärmeübertragung in die Leiterplatte und die dortige Wärmespreizung (oder durch aufgeklebte Kühlkörper) wird die Wärme an die Umgebung abgegeben.— (Johannes Adam, « Die Leiterplatte als Kühlkörper », dans Haus der Technik, 3. Tagung Elektronikkühlung, München, 18 février 2009)
La plupart des composants n’ont aucune chance de survie thermique sans circuit imprimé, car ils n’ont pas une surface suffisante pour la chaleur à dissiper. L’évacuation de la chaleur vers le circuit imprimé et la répartition thermique réalisée par ce dernier (ou par des dissipateurs thermiques collés) permettent de dissiper ensuite cette chaleur dans l’environnement.
Für AlN-Keramik-Substrate sättigt der positive Einfluss der Wärmespreizung bei 50 μm Schichtdicke bereits bei einer Fläche von 6x6 mm2.— (Michael Meisser, Max Schmenger, Benjamin Leyrer, Martin Bernd, Thomas Blank, « Kupfer-Dickfilmstrukturen für Silizium-Karbid Leistungsmodule mit hoher Integrationsdichte », dans MST Kongress, Karlsruhe, Germany, octobre 2015)
Pour les substrats en céramique d’AlN , l’influence positive de la répartition thermique pour une épaisseur de couche de 50 μm sature déjà pour une surface de 6x6 mm2.